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激光晶圆退火是一种在半导体制造中使用的关键技术之一，它利用高功率的激光光源，在极短时间内加热晶圆表层至高温后迅速冷却。这一过程可以显著改善晶圆的晶格缺陷和晶界问题，提高结晶质量和晶体有序度。激光退火技术之所以得到半导体行业青睐，在于其具有选区加热、精准控温、高能量密度和连续稳定输出等优点，能够满足不同退火工艺需求，成为半导体制造中有效提升产品的性能和良品率的有力手段。
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